3月30日消息，企業(yè)調(diào)查App顯示，最近華為技術(shù)有限公司公開(kāi)了石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管專利，公開(kāi)號(hào)碼為巴克N11032326B。
專利摘要顯示，該申請(qǐng)?zhí)峁┦﹫?chǎng)效應(yīng)晶體管，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提高設(shè)備輸出電阻，提高開(kāi)關(guān)比，實(shí)現(xiàn)更好的射頻性能。石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括襯底、第一格柵電極、第二格柵電極、第一格柵介質(zhì)層、第二格柵介質(zhì)層、槽層、源電極和漏電極。
另外，槽層的材料包括AB堆積雙層石墨烯或AB堆積多層石墨烯，第一柵極電極和第一柵極介質(zhì)層設(shè)置在槽層的一側(cè)，第二柵極電極和第二柵極介質(zhì)層設(shè)置在槽層的另一側(cè)，第一柵極電極包括多個(gè)間隔設(shè)置的第一子電極和第一連接子電極
