是的，一萬億個晶體管的單芯片要來了。目前，單個封裝可以放入1千億個晶體管。而Intel決定，把晶體管密度再翻10倍，達到萬億級。近日，Intel中國研究院院長宋繼強在接受采訪時稱，從2023年到2030年，晶體管密度要在8年時間里翻10倍，即實現(xiàn)2的3次方的提升。
盡管這個目標相當激進，但Intel依然有信心實現(xiàn)。宋繼強表示，要達到單個封裝中集成一萬億個晶體管的目標，主要是兩方面。
一方面，要繼續(xù)依靠晶體管微縮，例如用厚度僅僅3個原子的超薄2D材料做更高效的GAA的晶體管。另一方面，還需要依賴3D封裝技術，能夠進一步提升整個設備中的晶體管總量。
按照規(guī)劃，Intel4（即7納米）工藝預計年底就會進入試產(chǎn)階段，未來將用于第14代的Meteor Lake處理器。
2023下半年，將邁入Intel3（3納米）制程技術，預計第一批產(chǎn)品會在2024上半年登場。
Intel創(chuàng)始人之一戈登摩爾曾提出摩爾定律，其核心內容為:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。
換言之，處理器的性能大約每兩年翻一倍，同時價格下降為之前的一半。
近年來，對于摩爾定律”可行性的爭論在半導體業(yè)界時有發(fā)生，但由此來看，Intel仍是摩爾定律的堅定支持者。
